【政府補助】新世代半導體製程技術與製程整合

課程介紹

　　目前台灣半導體先鋒大廠，在先進製程上已正式跨入3 nm以下的量產技術節點，頂尖的半導體應用晶片除了需要優異的IC電路設計外，更需要完美的奈米元件結構配以新世代或先進的半導體製程技術，以達到晶片最佳的性能表現。因此從事或即將從事半導體產業，對這些完整(含先進)半導體製程技術更需要熟悉。
　　本課程將深入淺出介紹半導體基本原理(含先進Strain Si, FINFFET, GAAFET元件與第三代半導體介紹)及應用、半導體製造流程及各個製程模組之詳細介紹 (包括先進/新世代微影技術)。課程更要學員了解完整的新世代半導體製程技術原理與技術前後之關聯性，並且介紹以矽為主要材料之半導體製程技術，課程內容上包括VLSI半導體前段製程與後段金屬連導層製程之詳細說明，並講授積體電路完整製作流程後的晶圓IC良率考量。本課程讓學員對新世代半導體製程技術有清楚的輪廓與了解，因此期許學員在學習後能清楚掌握各半導體技術之原理與應用。

產發署補助課程

經濟部產業發展署「114年度半導體國際連結創新賦能計畫」
– 主辦單位：經濟部產業發展署 / 執行單位：財團法人資訊工業策進會 / 開班單位：工業技術研究院
– 歡迎企業包班~請來電洽詢課程承辦人陳小姐(Zoe) 04-25675621

課程大綱

課程大綱	課程內容
半導體材料與積體電路之發展及應用	半導體基本原理矽半導體材料的特點積體電路元件介紹 (含先進Strain Si, FINFFET, GAAFET) 第三代半導體材料之特點
IC製程簡介	IC製造流程介紹先進High k/Metal Gate, 鋁製程、銅製程介紹
晶圓清洗	晶圓清洗業界晶片清洗步驟
氧化層薄膜技術 (爐管)	氧化物薄膜性質熱氧化製程、RTP 氧化層薄膜之應用
黃光微影技術	微影簡介光罩介紹黃光微影製造流程先進微影技術 (光學增強技術/ 多重曝光/ 浸潤式微影) 新世代微影技術 (EUV, E-Beam)與優缺點
擴散與離子佈植	擴散製程及其應用離子佈植及其應用
薄膜製程	薄膜沉積金屬沉積(金屬物理式沈積、金屬CVD、先進Cu製程電鍍或無電鍍技術) 先進原子層沉積(ALD)技術
蝕刻 (Etching)及研磨技術	蝕刻參數電漿乾蝕刻原理及其應用乾蝕刻的限制與優缺點濕蝕刻的限制與優缺點化學機械研磨 (CMP)
IC製程整合	CMOS製造流程 IC 製程整合流程範例 IC 良率 (Yield)