南韓記憶體出口結構正快速轉變,隨著高頻寬記憶體(HBM)需求大幅提升,對中國市場的依賴程度顯著降低。韓國國際貿易協會(Korea International Trade Association)3日公布的數據顯示,南韓去年記憶體半導體總出口額達946.13億美元,其中對中國出口額為309.9億美元,佔總額的32.7%。相較於過往最高70%的佔比,對中國的出口依賴已明顯下降。自2018年起,南韓記憶體產品出口中國的比例,曾連續五年維持在50%左右,但2024年已跌至30%區間。
此外,美國對中國半導體設備的出口管制,也可能產生影響。三星電子(Samsung Electronics)位於西安的NAND快閃記憶體工廠、SK海力士位於無錫的DRAM工廠,以及位於大連的NAND快閃記憶體工廠,先前皆獲得美國政府的「經驗證最終用戶(Validated End User, VEU)」地位,允許它們在沒有個別許可證的情況下,進口美國製造的設備。然而,自從川普政府第二任期開始,這些中國子公司的VEU地位已被撤銷,進口設備需要個別許可證。