根據《The Chosun Daily》昨日報導，中國記憶體製造商長鑫儲存（CXMT）傳出將為中國消費電子品牌小米（Xiaomi）的下一代行動旗艦處理器 XRING O3 供應 LPDDR6 記憶體，目前已進入商業驗證階段。此舉顯示長鑫儲存正加速縮小與全球主要記憶體大廠的技術差距，對市場競爭格局帶來潛在影響。

LPDDR6 是一種低功耗記憶體標準，主要作為行動裝置與裝置端人工智慧（on-device AI）的核心記憶體。長鑫儲存的 LPDDR6 產品最高速度可達 12.8 Gbps，儘管略遜於韓國三星電子（Samsung Electronics）與 SK海力士（SK Hynix）的 14.4 Gbps，但其在 LPDDR5X 量產後不到一年即推出下一代產品，技術追趕速度令人關注。中國當地媒體更評估，這項進展讓中國記憶體產業在先進低功耗記憶體市場取得先發優勢。

目前，三星電子和 SK海力士也計劃在今年內量產 LPDDR6。有半導體產業消息人士指出，韓廠主要將資源集中於高頻寬記憶體（HBM）的開發，這種記憶體主要應用於高階人工智慧（AI）晶片。相對地，長鑫儲存則在低功耗 DRAM 領域快速提升技術競爭力，擴大了市場競爭前線。隨著全球大型科技公司大幅增加低功耗 DRAM 在 AI 伺服器中的應用，預計明年輝達（NVIDIA）AI 伺服器所需的低功耗 DRAM 容量將近乎翻倍，達到 60.41 億 GB。

在三大記憶體廠供應能力因瓶頸而受限的情況下，大型科技公司的訂單可能轉向長鑫儲存。據報導，蘋果（Apple）已在對長鑫儲存的 DRAM 產品進行性能測試，這暗示著中國記憶體產品有機會進入全球大型科技公司的供應鏈。然而，中國半導體產業的快速崛起，也面臨來自地緣政治的嚴峻挑戰。

美國國會目前正在推動「硬體技術控制多邊協調法案」（MATCH Act），該法案可能強制荷蘭等盟友實施與美國同等級的出口管制。若法案通過，荷蘭半導體設備龍頭艾司摩爾（ASML）不僅將被禁止向中國出售舊款深紫外光（DUV）微影設備，甚至已安裝在中國工廠的設備，其零件更換與維修服務也可能受阻。由於艾司摩爾的部分設備零件仰賴美國供應商，使其難以忽視美國的管制要求。

國際研究機構 TrendForce 警告，如果艾司摩爾的設備維護與維修服務完全中斷，包括長鑫儲存和Yangtze Memory Technologies Holdings Co., Ltd.（YMTC）在內的中國主要半導體公司，其 DRAM 生產將無可避免地面臨中斷。這將是中國半導體產業的一大考驗，考驗其在嚴格的美國政府設備維修與制裁壓力下，能否持續大規模商業化和穩定擴張工廠產能。