根據《Counterpoint Research》最新數據,截至 2026 年第一季,三星電子(38%)、SK海力士(29%)和美光(22%)三大記憶體巨頭合計掌握全球 DRAM 市場約 90% 的市佔率。這三家企業都曾在過去的市場低谷中存活下來。自 2020 年 DRAM 和 NAND Flash 市場出現供過於求跡象後,它們便透過積極減產、控制產能與製程轉換,有效將供應價格維持在特定範圍內。
具體而言,這些廠商不再新建大型晶圓廠,而是採取保守的資本支出策略。它們將現有廠房的生產重心從通用型DRAM轉向高頻寬記憶體(HBM)與 DDR5。HBM 對於AI基礎建設而言至關重要,因其能滿足AI運算對高效能資料處理的龐大需求。在三星電子和SK海力士,約有 30% 至 40% 的 DRAM 總產能已被分配用於生產 HBM。
此舉導致個人電腦、行動裝置和伺服器使用的通用型 DRAM 供應減少,進而推動價格持續上漲。韓國《培育證券》將此現象定義為「供應商主導的短缺循環」,並預計若三星電子與SK海力士維持當前的資本支出策略,供需吃緊的局面將持續。市場研究機構《集邦科技》也預期,考量到AI資料中心需求及保守的資本支出,記憶體短缺將持續至 2027 年。
儘管存在對大型科技公司依賴加深的風險,市場普遍共識是,過去那種記憶體產業的「斷崖式」崩盤不太可能重演。預計今年下半年,通用型記憶體價格將面臨逐步的下行壓力,但 HBM 等專注於 AI 的高價值記憶體將保持相對強勁。這種「分歧週期」將使得不同類型的記憶體產品在市場表現上呈現差異,高階記憶體市場將維持其韌性與穩定。