為強化歐洲在半導體領域的實力並降低對外部供應鏈的依賴，歐盟透過「歐洲晶片法案」啟動了一系列關鍵計畫，其中「FAMES試產線」已於今年稍早前與法國電子與資訊技術研究機構CEA-Leti的廠房擴建同步正式營運。這項計畫總計獲得8.3億歐元資金，由歐盟與各成員國共同出資，旨在加速下一代晶片技術的研發與產業應用。

FAMES計畫由CEA-Leti協調，匯集了來自歐洲各地的11個研究機構與大學，其中包括法國的CEA-Leti、比利時的校際微電子中心（imec）、德國的夫朗和斐協會（Fraunhofer）及芬蘭VTT技術研究中心。此計畫於2023年12月啟動，預計執行五年，其應用範圍廣泛，涵蓋汽車、通訊、醫療保健及資料基礎設施等戰略性產業。

隨著FAMES試產線的正式啟用，CEA-Leti在法國格勒諾布爾（Grenoble）的設施也完成了大幅擴建，新增2,000平方公尺的無塵室空間，使其總面積達14,000平方公尺。新擴建的設施配備約80台全新的半導體製程設備，加上原有的700多台設備，將共同支援先進的300mm晶圓製造。此新廠將成為推動新興晶片技術從研究走向工業應用的重要基地。

FAMES試產線的核心目標是開發一套能支援高性能、低功耗新晶片架構的技術組合，特別著重於10奈米及7奈米製程節點的FD-SOI（fully depleted silicon-on-insulator）技術，以及嵌入式非揮發性記憶體（eNVM）、射頻元件、3D整合技術及電源管理方案。這些技術旨在實現混合訊號應用（結合數位、類比與射頻功能）的新晶片設計方法。FD-SOI技術已被意法半導體（STMicroelectronics）和格芯（GlobalFoundries）等主要公司採用，並在多樣化的全球電子產品中得到應用。該計畫採「More than Moore」策略，強調將不同功能整合至單一系統中，而非僅依賴縮小電晶體尺寸來推動創新。

為促進廣泛應用，FAMES試產線實行開放取用模式，提供學術研究團隊、新創公司、中小型企業及大型工業組織使用。使用者可透過申請，取得設計工具、模擬工具及實驗平台，進行多專案晶圓試產。計畫也著重於人才培育，為碩博士生提供訓練。FAMES將與「歐洲晶片法案」下的其他試產線計畫，以及Chips Joint Undertaking所支持的合作專案共同運作，形成完整的歐洲半導體研發生態系。

此次歐洲積極投入半導體自主研發，不僅為其區域產業注入新動能，也反映全球各地區在晶片供應鏈自主化的趨勢。對於台灣在全球半導體產業鏈中扮演的關鍵角色，歐洲FAMES試產線的發展，將是其未來策略布局中不可忽視的一環。