應用材料（Applied Materials, AMAT）旗下日本法人 AMAT Japan 近日表示，正積極邀請多家日本企業加入其技術開發平台「EPIC」（Equipment and Process Innovation and Commercialization）。該平台目標在 2040 年前，將電晶體功耗降低至 2007 年時的萬分之一。

AMAT Japan 於 3 月 16 日舉行了一場以「次世代電晶體技術最大化 AI 效能」為主題的說明會，會中 AMAT Japan 代表取締役社長中尾均闡述了上述目標。中尾均表示，目前半導體產業正處於由物聯網（IoT）和人工智慧（AI）主導的第四個成長期，而數據中心、機器人、電動車（EV）和再生能源等領域的發展，半導體將扮演關鍵角色。應用材料將透過材料創新來改變世界，擴大在半導體材料領域的業務。

EPIC 預計於今年秋季在矽谷啟用，佔地 1 萬 7000 平方公尺，將作為半導體研發中心，致力於開發 2 奈米以下的次世代製程技術，並改善邏輯、記憶體和功率半導體的電力效率。目前，韓國的三星電子（Samsung Electronics）和 SK 海力士（SK Hynix），以及美國的美光科技（Micron Technology）已加入該平台。應用材料希望透過與相關企業和大學合作，將開發時間縮短 30% 至 50%。

中尾均指出，應用材料也正邀請多家日本製造商參與閘極全環（GAA）結構的次世代電晶體開發。儘管日本市場僅佔應用材料全球營收的 10% 左右，但中尾均認為日本在邏輯、記憶體和功率半導體領域均具備優勢，且擁有豐富的人才。技術本部長松永範昭也表示，日本供應鏈完整，能夠以穩定的品質進行生產，因此具有重要的戰略地位。

應用材料認為，改善能源效率是半導體產業未來成長的關鍵。該公司將透過其在薄膜沉積、蝕刻和材料改質方面的新產品，實現差異化，以滿足次世代電晶體生產的需求。應用材料為 2 奈米製程及更先進的電晶體開發了一種純粹自由基處理設備，利用離子在奈米薄片表面進行原子級的平滑處理。這項技術能夠在不損害材料的情況下，有效減少表面的微小不規則性，從而提高電子移動速度。

此外，應用材料還提供 GAA 蝕刻設備，該設備可在磊晶成長前形成高深寬比的溝槽，並可獨立控制離子能量和入射角。透過精確地加工底部和側壁結構，實現良好的磊晶成長，並減少電晶體通道長度的變化。此外，該公司還提供鉬薄膜沉積設備，以鉬取代傳統的鎢作為觸點材料，可降低約 15% 的電阻。

應用材料也展示了其材料改質設備「Viva」，旨在進一步提升半導體效能。